2024年9月17日 星期二

可製8奈米芯片?中國製DUV遭打臉 精度65奈米

可製8奈米芯片?中國製DUV遭打臉 精度65奈米

 

【大紀元2024年09月18日訊】中共工信部9月初公布的「首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)」,列出全新自製DUV光刻機,分辨率為≤65nm,套刻精度≤8nm。許多人盛傳「可生產8奈米芯片」,突破美國封鎖,結果被中國科技媒體打臉。

 

9月16日,科技媒體「芯智訊」報導,各種關於國產光刻機大突破言論滿天飛,甚至還有人一看到「套刻≤8nm」就認為這是8nm光刻機,令人啼笑皆非。

 

報導列出工信部公布的數據,並解釋說,氟化氪光刻機其實就是老式的248nm光源的KrF光刻機,分辨率為≤110nm,套刻精度≤25nm;氟化氬光刻機則是193nm光源的ArF光刻機(也被稱為DUV光刻機),但披露的這款依然是乾式DUV光刻機,而非更先進的浸沒式DUV光刻機(也被稱為ArFi光刻機)。

 

(網絡截圖)

 

從工信部披露的參數來看,此DUV光刻機解析度為≤65nm,套刻精度≤8nm。雖然相比之前上微的SSA600光刻機有所提升(解析度為90nm),仍並未達到可以生產28奈米芯片的程度,更達不到製造什麼8奈米、7奈米芯片的程度,很多網友把套刻精度跟光刻製造製程節點水平搞混了。

 

光刻精度主要看的是光刻機的分辨率,65nm的分辨率,那麼單次曝光能夠達到的工藝製程節點大概就在65nm左右。套刻精度則指的是每一層光刻層之間的對準精度。

 

報導指出,這個65nm的光刻分辨率、套刻精度≤8nm,最多能夠做到55nm製程。大概相當於荷蘭ASML(阿斯麥)公司18年前(2006年)推出的XT:1450的水平。

 

 責任編輯:夏松

 

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